指标 | 项目 |
90°±0.15° | 垂直度(D) |
指标 | 项目 |
CZ | 生长方式 |
<100>±3° | 表面晶向 |
P | 掺杂剂 |
≤7*10¹⁷ | 间隙氧含量 |
≤2.5*10¹⁶ | 代位碳含量 |
≤500/cm² | 位错密度 |
≥800μs | 少子寿命 |
0.3-6Ω·cm | 电阻率 |
指标 | 项目 |
90°±0.15° | 垂直度(D) |
指标 | 项目 |
CZ | 生长方式 |
<100>±3° | 表面晶向 |
B | 掺杂剂 |
≤7*10¹⁷ | 间隙氧含量 |
≤5*10¹⁶ | 代位碳含量 |
≤500/cm² | 位错密度 |
≥70μs | 少子寿命 |
0.5-1.5Ω·cm | 电阻率 |