| 指标 | 项目 | 检测方法 |
| 90°±0.12° | 垂直度(C) | 硅片自动检测设备 |
| 批平均 Batch Ave:≥规格厚度 Thickness Thickness(110/120/125/130/135/140/145/150μm) 单片平均:规格厚度±8μm |
厚度 | |
| ≤20μm | 总厚度变化 |
| 指标 | 项目 | 检测方法 |
| ≤11 ppma | 间隙含氧量 | 硅晶体中间隙氧含量红外吸收测量方法 GBT 1557-2018 |
| ≤1 ppma | 代位碳含量 | 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法 GB/T 1558-2009 |
| ≤500/cm⁻² | 位错密度 | 择优化学腐蚀化 GB/T 1554-2009 |
| <100>±3° | 表面晶向 | 单晶晶向测试方法 GBIT 1555-2023 |
| 0.6-1.6Ω·cm | 电阻率 | 硅片自动检测设备 |
| ≥1000μs | 少子寿命 | 瞬态光电导衰减法 |
| 指标 | 项目 | 检测方法 |
| 90°±0.15° | 垂直度(C) | 硅片自动检测设备 |
| 批平均 Batch Ave:≥规格厚度 Thickness Thickness(150μm) 单片平均:规格厚度±10μm |
厚度 | |
| ≤25μm | 总厚度变化 |
| 指标 | 项目 | 检测方法 |
| ≤11 ppma | 间隙含氧量 | 硅晶体中间隙氧含量红外吸收测量方法 GBT 1557-2018 |
| ≤1 ppma | 代位碳含量 | 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法 GB/T 1558-2009 |
| ≤500/cm⁻² | 位错密度 | 择优化学腐蚀化 GB/T 1554-2009 |
| <100>±3° | 表面晶向 | 单晶晶向测试方法GBT1555-2023 |
| 0.4-1.1Ω·cm | 电阻率 | 硅片自动检测设备 |
| ≥70μs | 少子寿命 | 瞬态光电导衰减法 |
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